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產(chǎn)品展示

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銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs系列

  • 產(chǎn)品型號(hào)：DInGaAs系列
  • 產(chǎn)品時(shí)間：2024-05-20
  • 簡(jiǎn)要描述：常溫型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）
    ——室溫型近紅外探測(cè)器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
    ● DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs元件；
    ● DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs元件；
  • 產(chǎn)品介紹

常溫型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）

——室溫型近紅外探測(cè)器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
● DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs元件；
● DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs元件；
● DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件；
● DInGaAs1700型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs元件；
● DInGaAs2600型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件
 
型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：
型號(hào)/參數(shù)
DInGaAs1600
DInGaAs1650
DInGaAs1700-R03M
DInGaAs1700
DInGaAs2600
光敏面直徑（mm）
1.5
5
3
5
3
波長(zhǎng)范圍（nm）
900-1600
900-1650
800-1700
800-1700
800-2600
峰值響應(yīng)度（A/W,  ?。?/div>
0.85
0.85
0.9
0.95
1.1
暗電流（nA,  大）
0.1
200
100
10μA
1mA
D*（典型值）
-
-
2.3×1012
9.6×1011
4.1×1010
NEP（典型值）
-
-
1.2×10-13
2.8×10-13
6.5×10-12
阻抗（MΩ）
30
1
1.5
50kΩ
320Ω
電容（pF）
80
1500
800
-
9000
響應(yīng)時(shí)間（ns）
8
160
100
300
1μs
信號(hào)輸出模式
電流
電流
電流
電流
電流
輸出信號(hào)性
正（P）
正（P）
正（P）
正（P）
 

■ TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）
——TE制冷型近紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：0.8-2.6μm
       TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs（x）-TE具有相同的外觀設(shè)計(jì)，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進(jìn)口二級(jí)TE制冷銦鎵砷探測(cè)元件，光譜響應(yīng)曲線參考圖如下：
型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：
 
 型號(hào)/參數(shù)
DInGaAs1700-TE
DInGaAs1900-TE
DInGaAs2200-TE
DInGaAs2400-TE
DInGaAs2600-TE
光敏面直徑（mm）
3
3
3
3
3
波長(zhǎng)范圍（nm）
800-1700
800-1900
800-2200
800-2400
800-2600
峰值響應(yīng)度（A/W）
0.9
1
1.1
1.15
1.2
D*（典型值）
8.4×1013
9.1×1012
1.9×1012
9.6×1011
4.9×1011
NEP（典型值）
3.2×10-15
2.9×10-14
1.4×10-13
2.8×10-13
5.5×10-13
溫控器型號(hào)
ZTC
ZTC
ZTC
ZTC
ZTC
探測(cè)器溫度（℃）
-40
-40
-40
-40
-40
溫度穩(wěn)定度（℃）
±0.5
±0.5
±0.5
±0.5
±0.5
環(huán)境溫度（℃）
+10~+40
+10~+40
+10~+40
+10~+40
+10~+40
信號(hào)輸出模式
電流
電流
電流
電流
電流
輸出信號(hào)性
正（P）
正（P）
正（P）
正（P）
正（P）
備注
制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）
推薦使用前置放大器型號(hào)：ZPA-7
銦鎵砷探測(cè)器使用建議：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZPA-7（Page85）做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)；標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)，在制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）進(jìn)行降溫控制；
 

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